技术
关于超高频bfrdmc设备CE认证的射频bfrdmc测试介绍
下面我们一起来了解下其中一款UHF频段bfrdmc的RF测试要点。
电子货架标签的组成和发展前景分析
一般而言，MTag电子货架标签内置MCU、RF射频、电子纸显示屏、支持文字显示的字库芯片、电池等、外围包括蓝牙网关、wifi与超市或仓库链接的主机服务器等。
UHF频段bfrdmc产品CE认证的射频RF测试介绍
目前欧洲所使用的UHF bfrdmc工作频段在865MHz～868MHz，功率不超过2W，依据R&TTE指令，CE认证中的射频测试需要参考协调标准EN302 208-2进行测试。
远端射频模块(RRU)关键技术创新及发展趋势
远端射频模块(RRU)包含收发信机(TRX)、功放、射频(RF)算法、滤波器、天线五大专有关键技术方向。
通用RF器件的邻道泄漏比(ACLR)来源
任何通用的RF器件,不论是混频器、放大器、隔离器或其它器件，其邻道泄漏比(ACLR)都受器件三阶互调失真(IM3)的影响。可推导出器件的IM3与三阶输出交调截点(OIP3)之间的关系。本文介绍了估算ACLR的公式推导，ACLR是IM3的函数。
射频功率放大器基本概念、分类及电路组成
射频功率放大器(RF PA)是发射系统中的主要部分，其重要性不言而喻。
手机射频开关领域的工艺之争： RF-SOI Vs.MEMS
RF器件和制造工艺市场正在升温，这种态势对于智能手机中使用的两个关键组件 - 射频开关器件和天线调谐器尤为明显。
RF设计中的阻抗匹配及50欧姆的由来？
为什么很多射频系统或者部件中，很多时候都是用50欧姆的阻抗(有时候这个值甚至就是PCB板的缺省值) ，为什么不是60或者是70欧姆呢?这个数值是怎么确定下来的，背后有什么意义?本文为您打开其中的奥秘。
高功率射频及微波无源器件中的考虑和限制
RF和微波无源元件承受许多设计约束和性能指标的负担。根据应用的功率要求，对材料和设计性能的要求可以显着提高。
移动通信系统中常见的RF干扰原因
射频干扰信号会给无线通信 基站覆盖区域内的移动通信带来许多问题，如电话掉线、连接出现噪声、信道丢失以及接收语音质量很差等，而造成干扰的各种可能原因则正以惊人的速度在增长。
射频工程师入门：定向耦合器
汽车雷达、5G 蜂窝、物联网等射频 (RF) 应用中，电子系统对射频源的使用量与日俱增。所有这些射频源都需要设法监测和控制射频功率水平，同时又不能造成传输线和负载的损耗。
加快部署 5G 基站的最佳实践：RF 前端大规模 MIMO 入门
面对新兴 5G 网络的爆炸式增长形势，本文探讨部署大规模 MIMO 基站的最佳实践，并就大规模MIMO基站的发展趋势，以及 RF 前端的一些重要话题提供一些见解。
用于RF部件的快周转PCB应该怎样来制作
采用低成本PCB(印刷电路板)，几个小时内就可以很容易用几乎任何CAD软件(甚至免费软件)设计出一块电路板。只需两天时间，在自己的案头就能完成原型板。很多软件包都有不错的设计规则，大多数PCB制造商可以制作出低至0.006 英寸线宽和线距。
RF电路板分区的pcb布线有着怎样的技巧
模拟、数字和RF电路都紧密地挤在一起，用来隔开各自问题区域的空间非常小，而且考虑到成本因素，电路板层数往往又减到最小。令人感到不可思议的是，多用途芯片可将多种功能集成在一个非常小的裸片上，而且连接外界的引脚之间排列得又非常紧密，因此RF、IF、模拟和数字信号非常靠近，但它们通常在电气上是不相干的。
RF设计过程中的信号耦合怎样可以降低
新一轮蓝牙设备、无绳电话和蜂窝电话需求高潮正促使中国电子工程师越来越关注RF电路设计技巧。RF电路板的设计是最令设计工程师感到头疼的部分，如想一次获得成功，仔细规划和注重细节是必须加以高度重视的两大关键设计规则。
车联网射频器件面临的挑战
车辆共享信息、相互协作以提高交通的安全性、环保性和乐趣性，这种想法非常有吸引力。与该概念相关的各种技术统称为协作式智能交通系统 (C-ITS)，有望缓解交通堵塞，减轻交通对环境的影响，并大幅减少致命交通事故的数量。
射频前端产业链解读
终端设备的无线通信模块主要分为天线、射频前端模块(RF FEM)、射频收发模块、以及基带信号处理器四部分。其中射频前端是无线连接的核心，是在天线和射频收发模块间实现信号发送和接收的基础零件。
射频电路的电源设计必看的13条规则
电源线是EMI出入电路的重要途径。通过电源线，外界的干扰可以传入内部电路，影响RF电路指标。
基于射频识别技术实现新型交互式生命探测仪的设计
数字电源开关负责整个有源模块供电的开和关，未接收到激活信号时，数字电源处于关闭状态，整个有源模块处于待机状态，能耗极小;被无源模块激活后，数字电源转为开放状态，有源模块上电工作，采集人体的脉搏信息，同标识信息一起通过RF发射前端发往读写器。
RF如何解决关系到SWaP的生死存亡
TWT具有高频率和高功率特性，但可靠性、重量和所需的支持子系统使其不受欢迎。LDMOS可提供高功率，但工作频率低于5 GHz。GaAs MESFET的工作频率非常高，但低击穿电压将其功率范围限制在10 W左右。
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