本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。

基于传统微带线定向耦合器的方向性和耦合性，利用端口阻抗的失配效应，设计出一种隔离度高、方向性好的改进型耦合器。测试结果表明,改进后定向耦合器的隔离度大大提高，在中心频率915MHz处隔离度高达58.875dB，方向性约为45dB，能有效抑制载波泄漏到接收链路中，能很好地满足902MHz～928MHz频段bfrdmc阅读器收发隔离的需求。